اصول کار ترانس فورماتور

1-تعریف ترانس فورماتور:

۲. اجزاع ترانس فورماتور:

۳. انواع اتصّال سیم پیچ:

۴. ترانس فورماتورولتاژ :

۵. ترانس فورماتورجریان :

۶. نسبت تبدیل ترانس جریان:

۷. حفاظتهای ترانس:

به ادامه مطلب مراجعه شود .

ادامه مطلب ...

باتری خشک

باتری خشک به اضافه چند مطلب از یو پی اس ومدلهای آن .

به ادامه مطلب مراجعه شود .


ادامه مطلب ...

موتورهای الکتریکی

موتورهای DC

 

موتورهای میدان سیم پیچی شده

 

موتورهای یونیورسال

 

 AC موتورهای

 

موتورهای پله‌ای

 

موتورهای خطی

به ادامه مطلب مراجعه شود

ادامه مطلب ...

چند دستگاه اندازه گیری

 تعریف گالوانومتر

گالوانومتر ساده

آمپرسنج برای اندازه گیری جریان

ولت سنج برای اندازه گیری ولتاژ

دستگاه ها ی مرکب 

چگونگی قراردادن ولت سنج در مدار

مقاومت درونی ولت سنج

مقاومت درونی آمپرسنج


به ادامه مطلب مراجعه شود

ادامه مطلب ...

مدارهای کنترل وراه اندازی

مدارهای کنترل وراه اندازی به دو قسمت تقسم میشوند:


الف :مدارهای قدرت:که مانند یک کلید سه فاز جریان سه فاز را به مصرف کننده میرسانند.


ب)مدارهای فرمان:این مدار هیچ رابطه ای با مدار قدرت ندارد و به وسیله آن بوبین کنتاکتور را تحریک میکنند تا کنتاکتور به حالت وصل یا قطع در آید


وسایل کنترل و راه اندازی:



کنتاکتور



شستی استوپ و استارت



لامپ سیگنال



رله حرارتی



رله مغناطیسی



تایمر (رله زمانی)



رله فلوتر



کلیدهای تابع فشار



لیمیت سوئیچ یا میکروسوئیچ(کلید های محدود کننده)



وسایل حفاظتی



کلیدهای شناور



کلیدهای تابع حرارت(ترموستات)



کلیدهای تابع دور



چشمهای الکتریکی(سنسورها)



رله کنترل فاز

ادامه مطلب ...

ترانزیستورهای نسل جدید

این ترانزیستورهای جدید بجای بهره‌گیری از سیلیکون، با ایندیوم فسفاید (indium phosphide) و ایندیوم گالیوم آرسناید ( indium gallium arsenide) ساخته می‌شوند. این مواد با هم ترکیب می‌شوند تا یک ماده سه لایه ایجاد شود که پایه ترانزیستورهای دوقطبی (bipolar) را تشکیل می‌دهد. هر ترانزیستور از سه قسمت ساخته می‌شود که عبارتند از امیتر، بیس و کلکتور. تیم طراح می‌گوید که ساختار کلکتور را با افزودن ایندیوم، کریستاله می‌کنند تا هتروجانکشن سودومورفیک (pseudomorphic heterojunction) درست شود. این پیوند اجازه می‌دهد تا الکترونها آزادانه تر بین دو لایه حرکت کنند که در نتیجه این عمل، سرعت بالا حاصل می‌شود. میلتون فینچ پروفسور مهندسی برق و کامپیوتر هولونیاک در ایلینویز که این مطالب را عنوان نمود اضافه کرد که هنوز چند سالی با ارائه نمونه عملی این ترانزیستورها به بازار فاصله داریم زیرا قیمتی که برای این نمونه تنظیم شده است 100 برابر ترانزیستور ساخته شده از سیلیکون است هرچند که انتظار می‌رود با تولید انبوه، این هزینه تا 90 درصد کاهش یابد. یکی از نقاط ضعف این مواد جدید آنستکه بشدت نیرو مصرف می‌کنند که باعث می‌شود تا نتوان آنها را در میکروپروسسورها کنار هم قرار داد.

ادامه مطلب ...

تاریخچه ساخت ابررساناها

پژوهش برای بررسی تغییر مقاومت الکتریکی اجسام در دماهای پائین برای نخستین بار توسط دانشمند اسکاتلندی جیمز دئِور در اواسط قرن نوزدهم آغاز شد. در سال 1864، دو دانشمند لهستانی به نامهای زیگموند روبلوفسکی و کارل اولزفسکی که روشی برای برای مایع ساختن اکسیژن و نیتروژن، یافته بودند، به بررسی خواص فیزیکی عناصر و ازجمله مقاومت الکتریکی در دماهای خیلی کم ادامه دادند و پیش‌بینی نمودند مقاومت الکتریکی در دماهای کم به شدت کاهش می‌یابد. روبلوفسکی و اولزفسکی نتایج فعالیت خود را در سال 1880 منتشر ساختند. بعد از آن دِئور و فلمینگ نیز پیش‌بینی ‌خود را مبنی بر الکترومغناطیس شدن کامل فلزات خالص در دمای صفر مطلق بیان داشتند. البته دئور بعدها تئوری خود را اصلاح و اعلام داشت مقاومت اینگونه فلزات در دمای مورد اشاره به صفر نمی‌رسد اما مقدار بسیار کمی خواهد بود. والتر نرست نیز با بیان قانون سوم ترمودینامیک بیان داشت که صفر مطلق دست‌نیافتنی است. کارل لیند و ویلیام همپسون آلمانی در همین زمانها روش خنک‌سازی و مایع ساختن گازها با افزایش فشار را به ثبت رساندند.

ادامه مطلب ...